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在实际面诊中,偶尔会有一些做耳再造失败的患者来寻求帮忙,想通过二次修复来达到一个更好的造耳效果。 一期造出耳朵轮廓,二期造出耳颅沟,分两期手术完成。 医生在第一次做造耳手术时,一般会用耳后筋膜瓣进行覆盖,通常不用颞筋膜瓣,并注意保留颞筋膜中颞浅血管的完整性。 这就相当于耳再造医生留下一个后门,如果第一次造耳真的失败,还有一次补救的机会。 但是第一次造耳就用颞筋膜瓣覆盖,一旦发生手术失败,二次造耳就会非常困难,很可能束手无策。 温馨提示 在这里想给广大耳畸形患者们提个醒,一定要选择有资质以及有经验的耳再造医生。 耳再造医生需要有很扎实的整形外科基础,比如皮瓣技术、扩张器技术、肋软骨切取技术,还要有极强的空间思维能力以便搭建形态良好的耳支架,还要熟悉肋软骨、耳部的解剖,并发症的处理,所以一个合格的耳再造医生往往需要数十年的培养。 最后,开展耳再造手术需要一定规模的医疗平台,这限制了很多美容机构开展不了。 耳整形修复医学专家--余文林 余文林教授,整形美容外科博士、博士后,中国康复医学会修复重建外科专业委员会皮瓣学组委员。 从业20余年,深耕整形外科,塑造真正"活"耳朵。 他在耳再造技术上不断创新,研创的自体肋软骨耳再造技术,再造的耳朵色泽一致、耳部轮廓清晰、自然逼真,被公认为目前创伤更小、代价更小、疤痕更不明显的耳再造技术。 本文为我原创 本文禁止转载或摘编.

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专利名称:开机重置电路及使用其的电子设备的制作方法 技术领域: 本发明关于一种消费型电子设备,尤其涉及一种开机重置电路及使用其的电子设备。 背景技术: 目前,各式电子产品的内部芯片,例如中央处理单元 Central Processing Unit, CPU 、闪存 Flash Memory 及专用集成电路 Application Specific Integrated Circuit, ASIC 等,在其上电时需要重置信号自动重置。 在大多设计中,通常使用一颗特 定的重置芯片以提供可靠的重置信号,或使用微控制器,如CPU、微控制器单元 Micro-Controller Unit, MCU 、 可编禾呈逻辑装置 Complex Programmable Logic Device: CPLD 及现场可编程门阵列 Field-Programmable Gate Array, FPGA 等,以程序计数或 计时的方式于开机特定时间后输出重置信号。 图l所示为一种传统的开机重置电路,用于在电路上电后产生重置信号给中央处理单元 120、闪存121及专用集成电路122,其包括直流电源10及重置芯片11。 其中,直流电源IO 输出直流信号给重置芯片ll,经重置芯片ll处理后产生重置信号重置中央处理单元120、闪 存121及专用集成电路122。 图2所示为另一种传统的开机重置电路,同样用于在电路上电后产生重置信号给中央处 理单元220、闪存221及专用集成电路222,其包括直流电源20及微控制器21。 其中,直流 电源20输出直流信号给微控制器21,由微控制器21经处理后产生重置信号重置中央处理单元 220、闪存221及专用集成电路222。 传统的开机重置电路中,需要特定的重置芯片或微控制器来提供重置信号。 然,此两种 方式皆需要额外添置一颗芯片来完成重置信号的产生,重置芯片的参数皆由芯片厂商初始设 定,在后续的使用中难以调整,电路灵活性较差,而且成本较高。 发明内容 有鉴于此,需提供一种开机重置电路,可灵活调整重置参数,且具有较低的成本。 此外,还需提供一种使用此开机重置电路的电子装置,可灵活调整重置参数,且具有较 低的成本。 一种开机重置电路与外部直流电源相连,用于从直流电源接收电源信号并产生重置信号 ,其包括延时电路、合成电路与整形电路。 延时电路包括多个延时单元,用于将接收到的电源信号进行延时,并对应输出多个延时信号。 合成电路与延时电路相连,用于将所述延时信 号进行逻辑运算,并输出合成信号。 整形电路与合成电路相连,用于根据合成信号导通与截 止,并输出重置信号。 一种电子设备,与外部直流电源相连,包括芯片组与开机重置电路。 其中,开机重置电 路与外部直流电源相连,用于从直流电源接收电源信号并产生重置信号以重置芯片组。 开机 重置电路包括延时电路、合成电路与整形电路。 延时电路包括多个延时单元,用于将接收到 的电源信号进行延时,并对应输出多个延时信号。 合成电路与延时电路相连,用于将所述延 时信号进行逻辑运算,并输出合成信号。 整形电路与合成电路相连,用于根据合成信号导通 与截止,并输出重置信号。 本发明实施方式所提供的开机重置电路通过两路延时电路、 一路整形电路及逻辑运算电 路来产生重置信号重置芯片组,各电路的参数可调,元件可按需要进行搭配,提高了电路的 灵活性,且,降低成本。 图l为一种传统开机重置电路的模块图。 图2为另一种传统开机重置电路的模块图。 图3为本发明一实施方式开机重置电路的模块图。 图4为本发明图3的具体电路图。 图5为本发明图4的信号波形图。 具体实施例方式 图3所示为本发明一实施方式电子设备2的模块图。 所述电子设备2包括开机重置电路3以 及芯片组34。 其中,开机重置电路3与外部直流电源30相连,用于接收电源信号并产生重置 信号至芯片组34,其包括延时电路31、合成电路32及整形电路33。 延时电路31包括多个延时 单元,用于将接收到的电源信号进行延时,并对应输出多个延时信号。 本实施方式中,所述 延时电路包括第一延时单元311以及第二延时单元312,芯片组34包括但不限于中央处理单元 341、闪存342及专用集成电路343等芯片。 第一延时单元311与第二延时单元312并行连接至直流电源30 ,第一延时单元311用于将 接收到的电源信号进行延时,并输出第一延时信号。 同样,第二延时单元312用于将接收到 的电源信号进行延时,并输出第二延时信号。 合成电路32与第一延时单元311与第二延时单元312相连,用于将所述延时信号,S卩,第 一延时信号与第二延时信号整合后输出合成信号。 本实施方式中,合成电路32做逻辑或运算整形电路33与合成电路32相连,用于根据合成信号进行整形,并输出重置信号Vout至芯 片组34。 图4所示为图3中所示各元件的具体电路图。 其中,第一延时单元311包括第一电容C1及 第一电阻R1,其中第一电容C1用于对接收到的电源信号进行充电,第一电容C1与第一电阻 Rl依次串接于直流电源30及地之间。 第二延时单元312包括第二电容C2及第二电阻R2,其中 第二电容C2用于对接收到的电源信号进行充电,第二电阻R2与第二电容C2依次串接于直流电 源30及地之间。 本实施方式的开机重置电路3中,第一延时单元311的第一电容C1及第一电阻R1与第二延 时单元312的第二电容C2及第二电阻R2的参数皆可依实际电路需要进行调整、搭配。 故,延 时电路31的延时时间可按需要进行调整,电路灵活性较好。 合成电路32包括第一二极管D1与第二二极管D2。 其中,第一二极管D1的阳极第一电容 C1及第一电阻R1的公共节点A相连,其阴极与整形电路33相连,用于接收第一延时信号。 第 二二极管D2的阳极与第二电容C2及第二电阻R2的公共节点B相连,其阴极与整形电路33相连 ,用于接收第二延时信号。 同时,第一二极管D1的阴极与该第二二极管D2的阴极相连,作为 合成电路32的输出端。 本发明其它实施方式中,合成电路33可根据不同芯片规格的需要搭配 不同的数字元件,例如其可以为一或门运算器,也可以为其它逻辑门元件。 整形电路33包括第三电阻R3与开关元件M,其中,开关元件M具有控制端、第一输出端与 第二输出端。 且,开关元件M的控制端与合成电路32的输出相连,其第一输出端通过第三电 阻R3与外部电源Vcc相连,其第二输出端接地。 本实施方式中,开关元件为金属氧化物半导 体场效应晶体管 metallic oxide semiconductor field effect transistor, M0SFET , 其中,开关元件M之控制端为MOSFET的基极,其第一输出端为M0SFET的汲极,其第二输出端 为M0SFET的源极。 同时,开关元件M的第一输出端作为整形电路33的输出,即为开机重置电 路3的输出Vout。 第三电阻R3用于限流,外部电源Vcc为3. 同时参阅图5 a 、 b 及 c ,图5以开机重置电路3上电的瞬间为起始时间,故此 上电的瞬间设为初始0ms ,开机重置电路3的工作原理详述如下 图5 a 中,V A 为第一延时信号的波形,Vout为整形电路33的输出。 在本实施方式 中,当直流电源30开始供电时,第一电容C1被瞬间短路,电源信号直接加载在第一电容C1与 第一电阻R1的公共节点A上,此时节点A所输出的第一延时信号相当于电源信号。 由于电源信 号的电压高于第一二极管D1的导通电压,从而第一二极管D1导通,则开关元件M导通,那么,整形电路33输出低电平信号。 此后,第一电容C1相对于电源信号是断路,第一电容C1开始充电,第一延时信号的电压 开始下降,至T1时刻,第一延时信号的电压刚好低于第一二极管D1的导通电压,从而第一二 极管D1截止,则开关元件M截止,那么,整形电路33输出高电平信号。 图5 b 中,V B 为第二延时信号的波形,Vout为整形电路33的波形,此第二延时单 元312的工作原理与第一延时单元311相反。 在本实施方式中,当直流电源30开始供电时,第 二电容C2被瞬间短路,电源信号流至地,故此时第二电容C2与第二电阻R2的公共节点B输出 的第二延时信号为零。 由于第二延时信号的电压低于第二二极管D2的导通电压,从而第二二 极管D2截止,则开关元件M截止,那么,整形电路33输出高电平信号。 此后,第二电容C2将电源信号与地断开,并开始充电,电源信号加载在节点B上,故第 二延时信号的电压在第二电容C2充电的情况下开始上升,至T2时刻,第二延时信号的电压达 到第二二极管D2的导通电压,从而第二二极管D2导通,则开关元件M导通,那么,整形电路 33输出低电平信号。 图5 c 为整合第一整形信号及第二整形信号后的重置信号波形图,在T1时刻之前,第 一延时信号使第一二极管D1导通,第二延时信号使第二二极管D2截止,则开关元件M导通, 那么,整形电路33输出低电平重置信号。 在T1-T2时刻之间,第一延时信号使第一二极管D1截止,第二延时信号使第二二极管D2 截止,则开关元件M截止,那么,整形电路33输出高电平重置信号。 在T2时刻之后,第一延时信号使第一二极管D1截止,第二延时信号使第二二极管D2导通 ,则开关元件M导通,那么,整形电路33输出低电平重置信号。 综上所述,在直流电源30开始供电之后,合成电路32根据第一延时信号与第二延时信号 进行逻辑或运算,从而控制整形电路33中开关元件M导通与截止,最终产生一由低电平至高 电平再至低电平的重至信号。 本发明实施方式所提供的开机重置电路3通过两路延时电路31、 一路整形电路32及逻辑 运算电路33来产生重置信号重置芯片组34,各电路的参数可调,元件可按需要进行搭配,提 高了电路的灵活性,且可降低成本。 权利要求 1. 一种开机重置电路,与外部直流电源相连,用于从所述直流电源接收电源信号并产生重置信号,其特征在于,所述开机重置电路包括延时电路,包括多个延时单元,用于将接收到的电源信号进行延时,并对应输出多个延时信号;合成电路,与所述延时电路相连,用于将所述延时信号进行逻辑运算,并输出合成信号;以及整形电路,与所述合成电路相连,用于根据所述合成信号导通与截止,并输出重置信号。 如权利要求l所述的开机重置电路,其特征在于,所述延时电路包括第一延时单元,用于将接收到的电源信号进行延时,并输出第一延时信号;以及 第二延时单元,用于将接收到的电源信号进行延时,并输出第二延时信号。 如权利要求2所述的开机重置电路,其特征在于,所述第一延时单元包括第一电容及第一电阻,其中所述第一电阻与第一电容依次串接于所述外部直流电源及地之间。 如权利要求3所述的开机重置电路,其特征在于,所述第二延时单 元包括第二电阻及第二电容,其中所述第二电阻与第二电容依次串行连接于所述外部直流电 源及地之间。 如权利要求4所述的开机重置电路,其特征在于,所述合成电路包括第一二极管,其阳极连接于所述第一电容与第一电阻的公共节点,用于接收所述第一 延时信号;以及第二二极管,其阳极连接于所述第二电容与第二电阻的公共节点,用于接收所述第二 延时信号;其中,所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阴极相连,作为所述合成电路的输 出端。 如权利要求5所述的开机重置电路,其特征在于,所述整形电路包 括开关元件,其具有控制端、第一输出端与第二输出端;其中,所述控制端与合成电路的输出端相连,所述第一输出端与外部电源相连,所述第二输出端接地。 如权利要求6所述的开机重置电路,其特征在于,所述开关元件为 金属氧化物半导体场效应晶体管 metallic oxide semiconductor field effect transistor, M0SFET ,其中,所述控制端为所述MOSFET的基极,所述第一输出端为所述 M0SFET的汲极,所述第二输出端为所述M0SFET源极。 如权利要求6所述的开机重置电路,其特征在于,所述开关元件的 第一输出端输出所述重置信号。 如权利要求6所述的开机重置电路,其特征在于,所述整形电路还 包括第三电阻,连接于所述开关元件的第一输出端与所述外部电源之间,用于限流。 一种电子设备,与外部直流电源相连,其特征在于,所述电子设备包括芯片组;以及如权利要求1至9任一项的开机重置电路,与所述外部直流电源相连,用于从所述直流 电源接收电源信号并产生重置信号以重置所述芯片组。 全文摘要 一种开机重置电路,与外部直流电源相连,用于从直流电源接收电源信号并产生重置信号,其包括延时电路、合成电路与整形电路。 延时电路包括多个延时单元,用于将接收到的电源信号进行延时,并对应输出多个延时信号。 合成电路与延时电路相连,用于将所述延时信号进行逻辑运算,并输出合成信号。 整形电路与合成电路相连,用于根据合成信号导通与截止,并输出重置信号。 本发明还提供一种使用该开机重置电路的电子设备。 本发明中的开机重置电路采用离散元件构成,各电路参数可调,元件可按需要进行搭配,提高了电路的灵活性,且可降低成本。

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关于耳再造手术,第一次造坏了可以重造吗?

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切開しました。 他の方も仰ってますが、埋没は考えてないですか? 私はまぶたがとても分厚い一重でしたので、埋没はとれてしまうと感じ、切開を選びました。 ダウンタイムも十分に仕事の休みがとれたので。 ただ高校生とのことですし、金額的にも休み的にも、手を出しやすいのは埋没ではないですか?切開ですと安くても20万以上。 たるみ取りなど追加すると30万以上するのが普通です。 私の場合は県内の口コミがいい3カ所まわりました。 ホームページで見るより印象が変わると思います。 流れ作業のようにカウンセリングするところはアフターケアも期待できないので、先生にゆっくりしっかりと話を聞いてもらえるところを選びましょう。 口コミは大事な情報ですので、口コミサイトや美容整形のアプリでよく確認してみてください。 アプリはトリビューやMeilyなどがあります。 クリニックの症例写真よりも、アプリなどで実際に手術を経験した人が感想と写真を載せているととても参考になります。 最後になりましたが、クリニック選びは口コミと、実際にカウンセリングを受けた印象が大切かなと思います。 同じ二重手術でも外科医により、内部処理が違っていたりしますよ。 皮膚切除のみならず眼窩脂肪、眼輪筋、ROOF切除などがあるので、自分の瞼に必要な手術が提案できる外科医を選択するのが賢明です。 よく起こるトラブルは左右差・傷跡・ハム目・たるみが取れていない・食い込み、ラインがガタついたり凹んだりといった失敗例が多いことも口コミされています。 一番大切なことは失敗トラブルがなく、学会などの信頼性のある場所で権威的な専門医を選択することと思います。 少しでも参考になれば嬉しいです。 治療ごとに失敗例や名医の条件の確認を推奨します。

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